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| 소개글 |
반도체공학 |
| 요약 |
2007년도 제44회 변리사 제2차시험 문제지
<과 목><반도체공학><><응시번호><><성 명><>
【제 A-1 문】 (30점)
3x1016cm-3로 균일하게 도핑된 n형 실리콘 반도체에 붕소(Boron)를 0.3㎛ 깊이로 이온 주입하였다. 주입된 붕소의 Peak 농도는 1018cm-3 이며 다음과 같은 Gaussian Profile을 갖는다.
(1) 접합 깊이를 구하시오. (20점)
(2) 이온 주입 시에 발생할 수 있는 channeling 현상을 설명하고, 이를 억제하기 위한 방법에 관하여 설명하시오. (10점)
【제 A-2 문】 (20점)
캐리어 분포(p(x), n(x))와 전계(E(x))가 다음과 같은 경우에 각 전류 성분의 방향을 선택하고(+X 방향 또는 -X 방향) 그 이유를 설명하시오.
(1) Ip(drift) (5점)
(2) Ip(diffusion) (5점)
(3) In(drift) (5점)
(4) In(diffusion) (5점)
【제 B-1 문】 (30점)
실리콘에서 전계의 세기가 강하지 않을 때 전자의 속도는 전자의 이동도에 비례한다.
(1) 이때 전자의 이동도를 결정하는 가장 중요한 2가지 scattering mechanism을 온도의존성과 더불어 설명하시오. (15점)
(2) 위의 2가지 scattering mechanism이 동시에 존재하고 있을 때, 전자의 이동도는 어떻게 표현되는지 설명하시오. (5점)
(3) 또한 전계의 세기가 어느 정도의 임계치를 초과하게 되면 전자의 속도는 어떠한 경향성을 보이며, 그렇게 되는 이유를 설명하시오. (10점)
【제 B-2 문】 (20점)
(1) n형 기판에 n+ poly-gate를 사용하여 PMOS를 구성하면 문턱전압이 적절하지 않은 이유를 설명하시오. (5점)
(2) 이 때, 문턱전압을 적 |
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